Pin switch

PIN-absorptiv og reflekterende 50 ohm switch, dæk 10MHz-50 GHz og tilvejebring 120 dB høj isolering, mindre end 10Ns højhastighedskontakt.

Send e -mail til os

Produktdetaljer

Produktmærker

Leder-MW

Introduktion til switch

Introduktion af ledermikrobølgningsteknologi., (Leader-MW) pin coaxial absorption og reflekterende 50 ohm switch, en avanceret opløsning til højfrekvenssignalruting og kontrol. Denne innovative switch leverer overlegen ydelse og alsidighed, hvilket gør den ideel til en lang række applikationer inden for telekommunikations-, luftfarts-, forsvars- og forskningsindustrier.

Designet til at imødekomme behovene hos moderne RF- og mikrobølgesystemer, pin koaksialabsorption og reflekterende 50 ohm switches switch sømløst mellem absorberende og reflekterende tilstande, hvilket giver brugerne fleksibilitet til at tilpasse sig forskellige signalrutekrav. Kontakten har en 50 ohm -impedans for at sikre optimal signalintegritet og minimalt signaltab, hvilket gør det velegnet til højfrekvente applikationer, hvor nøjagtighed og pålidelighed er kritisk.

Switch's kompakte og robuste koaksialdesign giver mulighed for let integration i eksisterende systemer, mens dens højhastighedskontaktkapaciteter muliggør hurtige responstider, hvilket sikrer problemfri signalruting og kontrol. Uanset om det bruges i test- og måleopsætninger, kommunikationssystemer eller radarapplikationer, leverer denne switch enestående ydelse og pålidelighed, hvilket gør det til et værdifuldt aktiv for ingeniører og forskere.

Leder-MW

Specifikation

SP1T -switch -specifikation

Frekvensområde GHz	Reflekterende indsættelsestab DB (MAX)	Absorptivt indsættelsestab DB (MAX)	VSWR (max)	Isolering DB (min)	Skifthastighed NS (MAX)	Power W (max)
0,02-0,5	0,2	0,3	1.3	80	200	1
0,5-2	0,4	0,5	1.3	80	100	1
0,02-3	2	2.2	1.5	80	200	1
1-2	0,5	0,6	1.3	80	100	1
2-8	0,8	1	1.3	80	100	1
8-12	1.2	1.5	1.4	80	100	1
12-18	1.6	2.6	1.5	80	100	1
2-18	2	2.8	1.8	60	100	1
18-26.5	2.4	3.2	1.8	60	100	2
26,5-40	3	4	2	30	100	0,2
40-50	3.5	4.5	2	30	100	0,2

SP4T -switch -specifikation

Frekvensområde GHz	Reflekterende indsættelsestab DB (MAX)	Absorptivt indsættelsestab DB (MAX)	VSWR (max)	Isolering DB (min)	Skifthastighed NS (MAX)	Power W (max)
0,02-0,5	0,3	0,4	1.3	80	200	1
0,5-2	0,5	0,6	1.3	80	100	1
0,02-3	2.2	2.4	1.5	80	200	1
1-2	0,6	0,7	1.3	80	100	1
2-8	1	1.2	1.3	80	100	1
8-12	1.5	1.8	1.4	80	100	1
12-18	1.8	2.7	1.5	80	100	1
2-18	2.2	2.8	1.8	60	100	1
18-26.5	2.6	3.5	1.8	60	100	2
26,5-40	3.2	4.2	2	30	100	0,2
40-50	3.6	4.8	2	30	100	0,2

Frekvensområde GHz	Reflekterende indsættelsestab DB (MAX)	Absorptivt indsættelsestab DB (MAX)	VSWR (max)	Isolering DB (min)	Skifthastighed NS (MAX)	Power W (max)
0,02-0,5	0,3	0,5	1.3	80	200	1
0,5-2	0,6	0,7	1.3	80	100	1
0,02-3	2.3	2.5	1.5	80	200	1
1-2	0,7	0,8	1.3	80	100	1
2-8	1.1	1.5	1.3	80	100	1
8-12	1.6	2	1.4	80	100	1
12-18	1.9	2.9	1.5	80	100	1
2-18	2.4	3	1.8	60	100	1
18-26.5	2.8	3.6	1.8	60	100	2
26,5-40	3.5	4.3	2	30	100	0,2
40-50	3.8	4.9	2	30	100	0,2

SP8T -switch -specifikation

Frekvensområde GHz	Reflekterende indsættelsestab DB (MAX)	Absorptivt indsættelsestab DB (MAX)	VSWR (max)	Isolering DB (min)	Skifthastighed NS (MAX)	Power W (max)
0,02-0,5	0,4	0,5	1.3	80	200	1
0,5-2	0,8	0,8	1.3	80	100	1
0,02-3	2.5	2.7	1.5	80	200	1
1-2	0,8	1	1.3	80	100	1
2-8	1.5	1.8	1.3	80	100	1
8-12	2.5	3	1.4	80	100	1
12-18	5.2	5.5	1.5	80	100	1
2-18	5.5	6	1.8	60	100	1
18-26.5	6	6.5	1.8	60	100	2
26,5-40	6	6.5	2	30	100	0,2
40-50	6.2	6.7	2	30	100	0,2